真空鍍膜的種（zhǒng）類

 在真空（kōng）中製備膜層，包括鍍製晶態的金（jīn）屬、半導體、絕緣體等（děng）單質或化合物膜。雖然化學汽相沉（chén）積也采用減（jiǎn）壓、低壓或等離（lí）子體等真空手段，但一般（bān）真空（kōng）鍍膜是指用物（wù）理的方法沉（chén）積薄膜。真空鍍膜（mó）有（yǒu）三種形式，即蒸發鍍膜、濺射（shè）鍍膜和離子（zǐ）鍍。

蒸發鍍膜 通過加熱蒸發某（mǒu）種物質使其沉積在固體表麵（miàn），稱為（wéi）蒸發鍍膜。這種方法最早由M.法拉第於1857年（nián）提出，現代已成為常用鍍膜技術之一。

蒸發物質如金屬、化合物等置於坩堝內或掛（guà）在熱絲上作為蒸發源，待鍍工件，如金屬、陶瓷、塑料等基片置於坩堝前方。待係統抽至高真空後，加熱坩堝使其中的物質蒸發。蒸發物質的原子或（huò）分子以冷凝方式沉積在基片表麵。薄膜（mó）厚度可由（yóu）數百埃（āi）至數（shù）微米。膜厚決定於（yú）蒸發（fā）源的蒸發速率和（hé）時間（或（huò）決定於裝料量），並與源和基片的距離有關（guān）。對於（yú）大麵積鍍膜，常采用旋轉基片（piàn）或多蒸發源的方式以保（bǎo）證膜層厚（hòu）度的均勻性。從蒸發源到基片的距離應小於蒸（zhēng）氣分子在殘（cán）餘氣體中（zhōng）的平均自（zì）由程，以免蒸氣分子與殘氣分子碰撞（zhuàng）引起化學作用。蒸氣（qì）分子平均動能約為0.1～0.2電子伏。

蒸發源有三種類型。①電阻加熱源：用難熔金屬如鎢、鉭製成舟箔或絲狀,通以電流,加熱在它上方的或置於坩堝中的蒸發物質,電（diàn）阻加熱源主要用（yòng）於蒸發Cd、

Pb、Ag、Al、Cu、Cr、Au、Ni等材（cái）料。②高頻感應（yīng）加熱源：用高（gāo）頻感應電流加（jiā）熱坩堝和蒸發物質。③電子束加（jiā）熱源：適用於蒸發溫度較高（不低於2000[618-1]）的材料，即用電子束轟擊（jī）材料（liào）使其蒸發（fā）。

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